纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管

近日，据纳芯微电子官微消息， 纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品 ，该系列产品专为 光伏、储能、充电 等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，完美满足中高压系统的需求。

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优 势

(相关资料图)

1.几乎零反向恢复电流

如下图所示，SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优于Si基并且该电流的大小不受正向导通电流、关断速度（di/dt）和结温的影响。

2.提高开关频率

SiC二极管具备优异的反向恢复特性，可与高频开关器件配合使用，提高开关频率，从而减小系统整体的体积和成本。

3.较低的正向导通电压

相较于1200V的硅基二极管，SiC二极管采用肖特基结构，具备较低的正向导通电压。

4.更好的EMI结果

SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能。

5.优秀的导热性能

SiC材料拥有更好的导热效果，有利于降低结温，进而提高系统的可靠性。

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纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计

纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计 ，与传统的JBS结构相比，具有显著优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启，通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应，从而显著降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下，器件的抗浪涌电流能力得到显著增强。

纳芯微SiC二极管结构设计示意图

纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V，而单次浪涌电流的实测典型值可以达到 220A ，是正向额定电流的 11倍 ，性能优于行业水平。

这意味着纳芯微的SiC二极管具有更低的正向导通电压，同时在面对瞬态高电流冲击时，具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得纳芯微的SiC二极管在高功率应用中表现出色，为系统的可靠性和稳定性提供了重要保障。

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纳芯微完善且严格的质量管理体系

纳芯微在碳化硅芯片的生产过程中实施了严格的质量控制措施。 每个碳化硅二极管产品都经过100%的静态电参数测试和100%的抗雪崩能力测试。 为了验证产品的可靠性，纳芯微按照JEDEC标准甚至更严格的测试条件进行验证。例如，在HTRB项目中，纳芯微将电压耐受能力增加到100%的额定耐压 （对于1200V系列二极管，即使用1200V进行HTRB可靠性实验） 。同时，纳芯微将测试时间从1000小时增加到 3000小时 等，以确保产品的可靠性。

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1200V SiC MOSFET研发和验证中

除了SiC二极管产品外， 纳芯微也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品，并将于近期推出 。纳芯微的SiC MOSFET产品将经过 全面的车规级验证 ，以确保完全符合汽车级应用的要求。

来源：纳芯微电子